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evo勒

直接控制衬底电压和离子能量的非对称偏置波形发生器

188滚球地址先进能源的evoTM平台是直接控制等离子体处理过程中离子能量分布的革命性动力技术。集成的单外壳系统为节点蚀刻和沉积应用提供定制的宽度和精确的离子能量控制。eVoS LE采用1.2 kV非对称波形,采用计量和专有控制,提供偏置等离子体性能,实现敏感特征形成和传统射频方法无法实现的效率。

  • 独立调节电压和电流输出,最大控制偏置条件
  • 专有的控制系统,可直接操作晶圆偏置特性
  • 快速,数字化计量,实时输出监测和控制
  • 提高效率与功率直接应用于离子加速,减少浪费的加热
  • 增强了定制离子能量分布的能力,消除尾部和窄分布,以最大限度地集中到工艺最优水平
  • 概述
  • 技术规格
  • 文档
  • 服务与支持

概述

eVoS™LE是一种非对称偏置波形发生器,设计用于在等离子体蚀刻和沉积过程中直接控制晶圆表面电压和由此产生的离子能量分布(IED)。eVoS系统由一个双向电压电源和一个独立的电流源组成,以建立和控制晶圆表面电位。eVoS的非对称输出消除了正弦射频偏置应用所固有的晶片偏置的限制和限制。快速的数字计量和新颖的控制算法使近单能量ied的生产成为可能。使用附加参数来定制晶圆表面电压的平均和时变方面以及由此产生的离子能量分布。

好处

  • 直接控制晶片偏压和由此产生的离子能量
  • 与射频偏压法相比,增益增强了离子能量选择/分辨
  • 显著提高刻蚀选择性,缩短工艺和更直,更深的特点
  • 通过使用“正确的能量”来使用更少的能量,只提供有用的离子能量
  • 简化偏置功率积分

特性

  • 能产生近单能离子的能量分布
  • 脉冲能力与必要的输入和输出信号同步
  • 集成设计,体积小,无需匹配网络
  • 高速计量提供实时偏置电压和离子电流反馈
  • 窄、宽、多峰分布
  • 适用于标准室接口
  • 离子能量

    50至500 eV

  • 离子电流

    10至400 mA

  • IED传播

    Fw HM <±(更大的)10 V或5%,跨越指定的eV/Icomp范围

  • 脉冲范围

    1 ~ 5000hz @ 10% -90%占空因数(最小脉冲间隔(开/关时间)= 100µs)

  • 冷却

    连接器

    9/16 " 18 SAE母型(ISO 11926-1)

    水流

    ≥2 gpm @ 5至30°C

    水的质量

    符合SEMI E51-0200工艺冷却水标准

    最大的水压力

    6.9条

    环境空气温度

    5 - 40°C

    空气流

    60mm风扇强制送风

全球支持与服务

188滚球地址先进的能源提供定期校准您的射频发生器和匹配。相信我们的专家,确保您的精密射频传感器在规格范围内,并确保您的工具以最大的潜力运行。

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应用支持与咨询

加速工具安装和工艺开发计划,或与先进能源的专门应用顾问和工程人员解决特定应用问题。188滚球地址从现场审查、分析和咨询中获益。

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保证

降低维护成本的可变性,并提供额外的成本保护。188滚球地址Advanced Energy提供全箱延长保修期。

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美国:+1 800 446 9167
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